MTY100N10E

MTY100N10E. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTY100N10E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 96 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 372 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 10640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.