Transistores

Custo): 5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: UNI. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: 1 P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Spec info: SMD 1P. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1S. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1AM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): SOT-23. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: UNI. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.2A. Marcação na caixa: 1AM. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: SMD 1AM. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Marcação na caixa: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Custo): 80pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 0.9A. Marcação na caixa: 2x. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código CMS 2X. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2T. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: 2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2L. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Marcação na caixa: 2 L. Equivalentes: MMBT5401LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: impressão de tela/código SMD (código de data 2Lx)

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2L. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código SMD G1 (3S Fairchild). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: 1D. Marcação na caixa: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1D. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Custo): 170pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: 2D. Marcação na caixa: 2D. Equivalentes: PMBTA92.215. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA42. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2D. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2D. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3EM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5mA. Frequência de corte ft [MHz]: 650 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN