MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G. Custo): 80pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 0.9A. Marcação na caixa: 2x. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código CMS 2X. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.