Transistores

Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Função: Amplificador de potência HI-FI. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 16A. Potência: 200W. Carcaça: TO-264

C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21196. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL1302A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL4302A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 5V

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 5V. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Spec info: transistor complementar (par) MJL4281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201446. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Spec info: transistor complementar (par) MJW3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Data de produção: 2015/04. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJW21196. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJW21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2.8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201444 201513. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Spec info: transistor complementar (par) MJW1302A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Eletrônica automotiva. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 6uA. IDss (min): 0.6uA. Marcação na caixa: L2N06CL. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 5us. Td(ligado): 1us. Tecnologia: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 62V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MMBF170. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 40pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6K. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 61 S. Pd (dissipação de energia, máx.): 2mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 61S. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 6E. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: J-FET Ampl.. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 4 v. Vgs(th) mín.: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 61U. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: J-FET Ampl.. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Vgs(th) mín.: 7.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 61U. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 11pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 60mA. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 6W. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: P-Channel Switch. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 6V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia/código SMD 6W. Unidade de condicionamento: 3000

Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 20mA. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 6Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: P-Channel Switch. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 6Y. Unidade de condicionamento: 3000

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6Y. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 62 P. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 40V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 62P. Unidade de condicionamento: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Tipo de transistor: FET. Função: Amplificador VHF/UHF, oscilador e mixer . Idss (máx.): 30mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 6U. Pd (dissipação de energia, máx.): 12mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 6U. Unidade de condicionamento: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Tipo de transistor: FET. Função: Amplificador VHF/UHF, oscilador e mixer . Idss (máx.): 60mA. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 6T. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 6T . Unidade de condicionamento: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6T. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C