Transistores

Marcação do fabricante: MJE13007G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 80W. Frequência máxima: 14 MHz. Carcaça: TO-220AB. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE13009G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 150V. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031G

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Carcaça: TO-220. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -150V. C (pol.): -8A. Custo): 50W. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15030G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Carcaça: TO-220

Carcaça: TO-220. Marcação do fabricante: MJE15032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15033

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -250V. Corrente do coletor: -8A. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Carcaça: TO-220

RoHS: sim. Carcaça: TO-220. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220. Custo): 2pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15032. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15035G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Nota: transistor complementar (par) MJE15034G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400us. Tf(min): 70us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE18004G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: SMPS. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Spec info: SWITCHMODE. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1750pF. Custo): 100pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 34. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 120W. Carcaça: TO-220

Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementar (par) MJE210. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 120pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente do coletor: 4A. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 15W. Frequência máxima: 40 MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Carcaça: TO-220. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -70V. C (pol.): -10A. Custo): 90W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE2955TG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE3055T. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T