Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

MJE15031G

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MJE15031G. Carcaça: TO-220. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -150V. C (pol.): -8A. Custo): 50W. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15030G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de...
MJE15031
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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