Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJE210G

MJE210G
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MJE210G. Custo): 120pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.

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Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 15W. Frequência máxima: 40 MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 15W. Frequência máxima: 40 MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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