MJE18008

MJE18008. C (pol.): 1750pF. Custo): 100pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 34. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 13:25.