MJE18004

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MJE18004. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400us. Tf(min): 70us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.

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