Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G. Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 150V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031G. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Marcação do fabricante: MJE15032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15033
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