Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC5200

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2SC5200. Custo): 200pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C5200 (Q). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1943. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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MJL21194

MJL21194

Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 M...
MJL21194
Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJL21194
Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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FJL4315-O

FJL4315-O

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho míni...
FJL4315-O
Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 17A. Marcação na caixa: J4315O. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FJL4215-O
FJL4315-O
Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 17A. Marcação na caixa: J4315O. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FJL4215-O
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2SC5242

2SC5242

Custo): 200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por ca...
2SC5242
Custo): 200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C5242. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1962 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C5242. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1962 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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