2SA1123

2SA1123. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 130. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: A1123. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo de plaina epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.