Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL
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25 - 49 0.63€ 0.77€
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL. Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -70V. C (pol.): -10A. Custo): 90W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -70V. C (pol.): -10A. Custo): 90W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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