IRF3205S

IRF3205S. C (pol.): 3247pF. Custo): 781pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Tecnologia de Processo Avançada . Id(im): 390A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250nA. IDss (min): 25nA. Equivalentes: IRF3205SPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.