Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L, VID.. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSE340. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 ( TO-225 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE350. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Corrente do coletor: -0.5A. Potência: 20.8W. Carcaça: TO-126. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSE350. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Marcação do fabricante: MJE350G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Corrente do coletor: -0.5A. Potência: 20W. Frequência máxima: 10MHz. Carcaça: TO-126. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Resistor BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(min): 2us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 100W. Carcaça: TO-220

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 450V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE5852G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 40W. Frequência máxima: 1MHz. Carcaça: TO-126

Custo): 1000pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 1000pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE800G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE803. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 5A. Potência: 35W. Frequência máxima: 13MHz. Carcaça: TO-220-F

Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Custo): 1.7pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2.3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: NF-L, TO-264. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21194. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS