Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350-ONS

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Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350-ONS. Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 0.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.

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Transistor NPN, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Corrente do coletor: -0.5A. Carcaça: TO-126. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE350. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Potência: 20.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340
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