Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJE350

MJE350
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MJE350. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE350. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Corrente do coletor: -0.5A. Potência: 20.8W. Carcaça: TO-126. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

Documentação técnica

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MJE350-ONS

MJE350-ONS

C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. ...
MJE350-ONS
C (pol.): 7pF. Custo): 110pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSE350. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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