Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15023. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15023. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15025. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15024G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Custo): 280pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15024. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15025G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -250V. Corrente do coletor: -16A. Potência: 250W. Frequência máxima: 4 MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ21193G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ21194G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Spec info: transistor complementar (par) MJ21196. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Spec info: transistor complementar (par) MJ21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Função: Aplicações de comutação e amplificador. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) 2N3055. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ2955G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 115W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Corrente do coletor: 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ802G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Potência: 20W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: I-PAK

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J44H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 85 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J44H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 85 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 85 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 44H11G. Equivalentes: MJD44H11G, MJD44H11J. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJD45H11T4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J45H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 90 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 85 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 45H11G. Equivalentes: MJD45H11G, MJD45H11J. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJD45H11T4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS