MJD45H11T4G

MJD45H11T4G. Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 85 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 45H11G. Equivalentes: MJD45H11G, MJD45H11J. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJD45H11T4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.