MJ15023
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.70€ | 7.01€ |
| 2 - 2 | 5.42€ | 6.67€ |
| 3 - 4 | 5.13€ | 6.31€ |
| 5 - 9 | 4.85€ | 5.97€ |
| 10 - 19 | 4.73€ | 5.82€ |
| 20 - 29 | 4.62€ | 5.68€ |
| 30+ | 4.45€ | 5.47€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.70€ | 7.01€ |
| 2 - 2 | 5.42€ | 6.67€ |
| 3 - 4 | 5.13€ | 6.31€ |
| 5 - 9 | 4.85€ | 5.97€ |
| 10 - 19 | 4.73€ | 5.82€ |
| 20 - 29 | 4.62€ | 5.68€ |
| 30+ | 4.45€ | 5.47€ |
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MJ15023. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.
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Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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