Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJ15023-ONS

MJ15023-ONS
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MJ15023-ONS. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15022. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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Custo): 280pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15024. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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