MJ11016G

MJ11016G. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 4pF. Custo): TO-204AA. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11015. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.