Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF9510PBF

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IRF9510PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9510PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOS...
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C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
IRF9520N
C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 390pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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