IRF9520N

IRF9520N. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.