IRF510

IRF510. C (pol.): 180pF. Custo): 81pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.