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Semicondutores Transistores

FJP13009H2

FJP13009H2

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Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	2.64€	3.25€
5 - 9	2.51€	3.09€
10 - 24	2.38€	2.93€
25 - 47	2.24€	2.76€

Quantidade	U.P
1 - 4	2.64€	3.25€
5 - 9	2.51€	3.09€
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Conjunto de 1

FJP13009H2. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Gan...

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