Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FJP13009

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FJP13009. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 17. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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