KSE13009F

KSE13009F. Custo): 180pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Modo de comutação de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.