Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SD1062

2SD1062
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2SD1062. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 15A. Marcação na caixa: D1062. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: inversores de alta velocidade, conversores, low-sat. Spec info: transistor complementar (par) 2SB826. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Material semicondutor: silício. Função: Velocidade de comutação rápida. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 120ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. Função: Velocidade de comutação rápida. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 120ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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