Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BU2525DF

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BU2525DF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Custo): 145pF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Custo): 145pF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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