Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BU2525DX. Custo): 145pF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
BU2527DX
Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistor BE: sim. Diodo CE: sim
2SC5696
Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistor BE: sim. Diodo CE: sim
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