BUL216

BUL216. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 9V. Função: comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.