Transistores

Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 600mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 0.6A. Nota: pinagem E, C, B. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V

Custo): 6pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 500mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial PNP. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Corrente do coletor: 100mA. Marcação na caixa: R1002. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Resistor B: 22k Ohms. Resistor BE: 22k Ohms. Custo): 100pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: SW. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: R1003. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Corrente do coletor: 100mA. Marcação na caixa: R1007. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 47. Resistor BE: 47. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 10. Resistor BE: 10. Custo): 3.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: SWITCHING APPLICATION. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V

Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor PNP Planar Epitaxial . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 280pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: Amplificador de áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Corrente do coletor: 10A. Marcação na caixa: B778. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KTD998. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 0.8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 800 MHz. Função: FM-V/M/O. Ganho máximo de hFE: 198. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 20mA. Marcação na caixa: 15.8k Ohms. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: hFE 20...90. Corrente do coletor: 3A. Nota: T32. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 0.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 11 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 210V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: 60T65PES. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 535W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 142ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: 0505-111646. DI (T=25°C): 1.4A. Idss (máx.): 1.4A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SMD 5p.. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD QU

Custo): 1pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 0.55pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 7.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4.5. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): TO-218-FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS