Transistores

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 30 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 10V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 28pF. Custo): 5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: Up 4.5V. Idss (máx.): 5mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 Ammo-Pak. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 28pF. Custo): 5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. On-resistência Rds On: 100 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte Vgs: 35V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: FET. Função: P-Channel Switch. Idss (máx.): 100mA. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. On-resistência Rds On: 85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 10V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J175. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 25mA. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. On-resistência Rds On: 250 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Função: VGS(off) 1V...4V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 35...125. Corrente do coletor: 500mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-5. Habitação (conforme ficha técnica): TO-5. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Spec info: Lo-Pwr BJT

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: KSA642-O

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Corrente do coletor: 0.15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: 9mm. Corrente do coletor: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF/S. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: 9mm de altura. Diodo CE: sim

Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 2pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: A992. Equivalentes: 2SC992. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSC1845. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 3A. Marcação na caixa: B1366-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) KSD2012 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: SAMSUNG. Diodo CE: sim

Custo): 2.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 200mA. Marcação na caixa: C1507 O. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 200mA. Marcação na caixa: C1507 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sim

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA992. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Diodo CE: sim

Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS