Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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KSC1009Y

KSC1009Y
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KSC1009Y. Custo): 2.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 23:25.

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Custo): 20pF. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE...
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Custo): 20pF. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: C2383 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2383
Custo): 20pF. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: C2383 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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