IKW30N60H3

IKW30N60H3. C (pol.): 1630pF. Custo): 107pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 117 ns. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: K30H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 187W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 207 ns. Td(ligado): 21 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.