Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

KSC2073TU

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KSC2073TU. Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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