Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

KSA931

KSA931
[TITLE]
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 0.89€ 1.09€
5 - 9 0.84€ 1.03€
10 - 17 0.80€ 0.98€
Quantidade U.P
1 - 4 0.89€ 1.09€
5 - 9 0.84€ 1.03€
10 - 17 0.80€ 0.98€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 17
Conjunto de 1

KSA931. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF/S. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: 9mm de altura. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 23:25.

Produtos equivalentes :

Quantidade em estoque : 36
2SA965

2SA965

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho...
2SA965
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA965
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Conjunto de 1
2.52€ IVA incl.
(2.05€ sem IVA)
2.52€
Quantidade em estoque : 135
2SB647

2SB647

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho m...
2SB647
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB647
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Conjunto de 1
1.77€ IVA incl.
(1.44€ sem IVA)
1.77€

Também recomendamos :

Quantidade em estoque : 71
2SD667

2SD667

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Amplificador de pot...
2SD667
[LONGDESCRIPTION]
2SD667
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.24€ IVA incl.
(1.01€ sem IVA)
1.24€
Quantidade em estoque : 120
2SA1015GR

2SA1015GR

Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: amplifi...
2SA1015GR
[LONGDESCRIPTION]
2SA1015GR
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.28€ IVA incl.
(0.23€ sem IVA)
0.28€
Quantidade em estoque : 460
2SC1815

2SC1815

Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho m...
2SC1815
[LONGDESCRIPTION]
2SC1815
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.30€ IVA incl.
(0.24€ sem IVA)
0.30€
Quantidade em estoque : 353
TIP42C

TIP42C

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganh...
TIP42C
[LONGDESCRIPTION]
TIP42C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.95€ IVA incl.
(0.77€ sem IVA)
0.95€
Quantidade em estoque : 28
2SC1845

2SC1845

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Ampl...
2SC1845
[LONGDESCRIPTION]
2SC1845
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.11€ IVA incl.
(0.90€ sem IVA)
1.11€
Quantidade em estoque : 238
TIP41C

TIP41C

Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência comple...
TIP41C
[LONGDESCRIPTION]
TIP41C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.90€ IVA incl.
(0.73€ sem IVA)
0.90€
Quantidade em estoque : 279
2SA1943

2SA1943

Custo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silíc...
2SA1943
[LONGDESCRIPTION]
2SA1943
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
7.68€ IVA incl.
(6.24€ sem IVA)
7.68€
Quantidade em estoque : 4278
CFR1-4W-100R

CFR1-4W-100R

Resistência: 100 Ohms. Potência: 0.25W. Tipo de resistor: camada de carbono . Tensão de ruptura: ...
CFR1-4W-100R
[LONGDESCRIPTION]
CFR1-4W-100R
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0218€ IVA incl.
(0.0177€ sem IVA)
0.0218€

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.