2SD667

2SD667. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Nota: 9mm. Marcação na caixa: D667. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB647. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.