Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SA965. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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