KSA733-Y
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.52€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.49€ |
| 25 - 49 | 0.38€ | 0.47€ |
| 50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
| 100 - 249 | 0.35€ | 0.43€ |
| 250 - 499 | 0.34€ | 0.42€ |
| 500+ | 0.33€ | 0.41€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.52€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.49€ |
| 25 - 49 | 0.38€ | 0.47€ |
| 50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
| 100 - 249 | 0.35€ | 0.43€ |
| 250 - 499 | 0.34€ | 0.42€ |
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KSA733-Y. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Corrente do coletor: 0.15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 23:25.
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Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): -0.1A. Custo): 1W. Transi...
Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): -0.1A. Custo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): -0.1A. Custo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V
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