Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 0.60€ | 0.74€ |
2 - 2 | 0.57€ | 0.70€ |
3 - 4 | 0.54€ | 0.66€ |
5 - 9 | 0.51€ | 0.63€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.55€ |
50 - 173 | 0.42€ | 0.52€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.60€ | 0.74€ |
2 - 2 | 0.57€ | 0.70€ |
3 - 4 | 0.54€ | 0.66€ |
5 - 9 | 0.51€ | 0.63€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.55€ |
50 - 173 | 0.42€ | 0.52€ |
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V - BC212B. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -50V. C (pol.): -0.1A. Custo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 20:25.
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