Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC560C

BC560C
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1 - 1 1.01€ 1.24€
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3 - 4 0.91€ 1.12€
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Conjunto de 10

BC560C. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 380. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

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RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. BE diodo: Transistor PNP . Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): TO-226AA. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC550C
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