Transistores

C (pol.): 4880pF. Custo): 950pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 640A. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 135W. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Série de produtos: HEXFET. Polaridade: MOSFET N. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 17A. Tensão porta/fonte Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -16V. Max: 45W. Carcaça: IPAK. Tipo de montagem: SMD

C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLZ24NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 480pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 880pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLZ34NPBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 880pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Carcaça (padrão JEDEC): 30A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Tensão Vds(máx.): 55V

C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 160A. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 47A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 41A. Potência: 83W. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Função: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo de germânio: Supressor . Corrente do coletor: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Marcação na caixa: V5036P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10.8 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AA. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 390V. Tensão porta/emissor VGE: 10V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 6600pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 300A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH13N80. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 63 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH26N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 4700pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 104A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5700pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 128A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 200uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH58N20. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK140N30P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 14000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1040W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 7500pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 136A. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 8400pF. Custo): 900pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: F-Class--MHz Switching. Id(im): 176A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 400uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. C (pol.): 12pF. Custo): 910pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1.5mA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1200W. On-resistência Rds On: 0.19 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N60P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 85 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8860pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 830W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. C (pol.): 7900pF. Custo): 790pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 150A. DI (T=100°C): 5.5V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 830W. On-resistência Rds On: 85m Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK64N60P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 12000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1040W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 10000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. On-resistência Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 42 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS