IXFA130N10T2

IXFA130N10T2. C (pol.): 6600pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 300A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.