IXFK90N30

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	14.65€	18.02€
2 - 2	13.92€	17.12€
3 - 4	13.19€	16.22€
5 - 9	12.46€	15.33€
10 - 14	12.16€	14.96€
15 - 19	11.87€	14.60€
20+	11.43€	14.06€

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3 - 4	13.19€	16.22€
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Conjunto de 1

IXFK90N30. C (pol.): 10000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. On-resistência Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 42 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

Documentação técnica