IXFH26N60Q

IXFH26N60Q. C (pol.): 4700pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 104A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.