Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IXFK44N50

IXFK44N50
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2 - 2 20.80€ 25.58€
3 - 4 19.71€ 24.24€
5 - 9 18.61€ 22.89€
10 - 14 18.18€ 22.36€
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IXFK44N50. C (pol.): 8400pF. Custo): 900pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: F-Class--MHz Switching. Id(im): 176A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. IDss (min): 400uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
IXFK48N50
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
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