Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFP054

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IRFP054. C (pol.): 4500pF. Custo): 2000pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. DI (T=100°C): 64A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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C (pol.): 2900pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 81 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 290A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 81A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.012 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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