IXFK48N50

IXFK48N50. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.